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    儀征純水處理設(shè)備生產(chǎn)廠(chǎng)家純水設(shè)備廠(chǎng)家排名

    發(fā)布時(shí)間:2022-05-11 00:14:03
    儀征純水處理設(shè)備生產(chǎn)廠(chǎng)家純水設(shè)備廠(chǎng)家排名

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    蘇州小型凈化水設(shè)備的消毒技能

    ,臭氧在水的深度處理中能起到預(yù)臭氧氧化作用與后臭氧的滅菌作用。 有研究表明
    ,臭氧的滅菌作用不光與臭氧投量和滅菌歷時(shí)有關(guān)
    ,而且與水中有機(jī)物CODMn存在著負(fù)相關(guān)性
    。研究主張滅菌3個(gè)控制參數(shù)為:CODMn<1.5mg/L
    ,投加量為3mg/L,接觸時(shí)間為5min較為安全
    。蘇州小型凈化水設(shè)備的電子消毒
    ,電子消毒設(shè)備是使用微電流的電化學(xué)氧化復(fù)原反應(yīng)對(duì)水中常見(jiàn)的微生物菌類(lèi)殺滅的消毒設(shè)備,SHC水質(zhì)處理器(消毒處理器)于2000年5月經(jīng)過(guò)產(chǎn)品判定
    ,已投入批量生產(chǎn)
    。該設(shè)備的工作流量規(guī)模為3~20m3/h
    。 電子消毒水質(zhì)處理器由處理器和控制箱兩部分組成
    ,處理器中裝有構(gòu)成低壓電場(chǎng)的電極,水流經(jīng)過(guò)電場(chǎng)則能起到消毒的作用
    ,并可經(jīng)過(guò)調(diào)節(jié)水流流過(guò)電場(chǎng)的流速和電場(chǎng)的電流密度來(lái)取得較佳的滅菌作用
    。控制箱是選用單片機(jī)系統(tǒng)進(jìn)行程序控制的設(shè)備
    ,經(jīng)過(guò)對(duì)進(jìn)水的流量檢測(cè)和傳感
    ,按樹(shù)立的數(shù)學(xué)模型軟件進(jìn)行控制,全自動(dòng)地運(yùn)轉(zhuǎn)

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    1.及時(shí)更換易損件。PP棉濾芯每3個(gè)月更換一次

    ,反滲透膜每2至3年更換一次
    。如果產(chǎn)水量下降超過(guò)30%或產(chǎn)品水電導(dǎo)率超過(guò)10μs/ cm
    ,則需要更換反滲透膜。2.設(shè)備在消毒和操作過(guò)程中會(huì)有些高溫
    ,必須進(jìn)行培訓(xùn)的人員必須更換觸摸設(shè)備
    。如果未實(shí)現(xiàn)消毒和清潔,則可以更換
    。緊急情況下需要中途停止消毒。必須執(zhí)行清潔程序
    ,并且必須檢查水質(zhì)
    ,直到水質(zhì)合格。3.不使用設(shè)備時(shí)
    ,必須確保水和電的供應(yīng)
    ,保證設(shè)備的自動(dòng)清潔功能,并防止微生物的擴(kuò)散破壞RO反滲透純水設(shè)備系統(tǒng)
    。4.每天檢查并記錄設(shè)備的運(yùn)行狀態(tài)一次
    。每天必須檢查硬度
    ,殘留氯和電導(dǎo)率
    ,并且每月必須檢查細(xì)菌和內(nèi)毒素。5.大型純水設(shè)備廠(chǎng)家建議不得隨意調(diào)節(jié)設(shè)備的閥門(mén)
    。設(shè)備在運(yùn)行過(guò)程中處于高壓狀態(tài)
    。隨意調(diào)節(jié)閥門(mén)可能會(huì)導(dǎo)致部分壓力升高,從而導(dǎo)致系統(tǒng)損壞和人身傷害

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    離子軟化體系/加藥體系

    ,R/O設(shè)備為了溶解固體形物的濃縮排放和淡水的運(yùn)用
    ,為防治濃水端特別是RO設(shè)備終一根膜組件濃水側(cè)出現(xiàn)的濃度積大于其平衡溶解度常數(shù)而結(jié)晶分出
    ,損壞膜元件的應(yīng)由特性,在進(jìn)入反滲透膜組件之前
    ,應(yīng)運(yùn)用離子軟化設(shè)備或投放適量阻垢劑阻撓碳酸鹽
    ,SiO2硫酸鹽的晶體分出。精細(xì)過(guò)濾器
    ,選用景仰過(guò)濾器對(duì)進(jìn)水中殘留的懸浮物
    、非是曲顆粒物及膠體等物質(zhì)去除,使RO體系等后續(xù)設(shè)備運(yùn)轉(zhuǎn)更安全
    、更牢靠。濾芯為5um熔噴濾芯、目的防止上級(jí)過(guò)濾單元
    ,漏掉的大于5um的雜質(zhì)除去
    。防止進(jìn)入反滲透設(shè)備損壞膜外表,從而損壞膜的脫鹽性能

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    蘇州EDI超純水設(shè)備在這一過(guò)程中

    ,離子交流樹(shù)脂是電連續(xù)再生的,因而不需要運(yùn)用酸和堿對(duì)之再生
    。這一新技能能夠替代傳統(tǒng)的離子交流設(shè)備
    ,生產(chǎn)出高達(dá)18兆歐的超純水
    。佰源水處理小編為您清晰地描繪如下:EDI是運(yùn)用陰、陽(yáng)離子膜
    ,選用對(duì)稱(chēng)堆放的方式
    ,在陰、陽(yáng)離子膜中心夾著陰
    、陽(yáng)離子樹(shù)脂
    ,分別在直流電壓的效果下,進(jìn)行陰
    、陽(yáng)離子交流
    。而一起在電壓梯度的效果下,水會(huì)發(fā)生電解發(fā)生很多H+和OH-
    ,這些H+和OH-對(duì)離子膜中心的陰、陽(yáng)離子不斷地進(jìn)行了再生
    。因?yàn)镋DI不斷進(jìn)行交流——再生
    ,使得純水度越來(lái)越高,所以
    ,垂手可得的發(fā)生了高純度的高純水

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    在晶體管、集成電路出產(chǎn)中

    ,純水首要用于清洗硅片
    ,還有少數(shù)用于藥液制造,硅片氧化的水汽源
    ,部分設(shè)備的冷卻水,制造電鍍液等
    。集成電路出產(chǎn)過(guò)程中的80%的工序需求使用高純水清洗硅片
    ,水質(zhì)的好壞與集成電路的產(chǎn)品質(zhì)量及出產(chǎn)成品率聯(lián)系很大。水中的堿金屬(K
    、Na等)會(huì)使絕緣膜耐壓不良
    ,重金屬(Au
    、Ag、Cu等)會(huì)使PN結(jié)耐壓下降
    ,Ⅲ族元素(B
    、Al、Ga等)會(huì)使N型半導(dǎo)體特性惡化
    ,Ⅴ族元素(P、As
    、Sb等)會(huì)使P型半導(dǎo)體特性惡化
    ,水中細(xì)菌高溫碳化后的磷(約占灰分的20-50%)會(huì)使P型硅片上的局部區(qū)域變?yōu)镹型硅而導(dǎo)致器材功能變壞,水中的顆粒(包括細(xì)菌)如吸附在硅片外表